特許
J-GLOBAL ID：200903049507980745
薄膜積層コンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
松村 修治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049255
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251259
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 電気回路部品として用いられる薄膜積層コンデンサの製造方法に関し、マスク法を利用し、蒸着した膜のエッジ部分がなだらかで、エッジ部分での電極の接続問題や誘電体の絶縁破壊の問題がほとんどなく、小型で大容量の薄膜積層コンデンサを低コストで生産性よく製造することが可能な薄膜積層コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基体上にドライプロセスを利用した薄膜形成手段を用いて誘電体と電極とを交互に少なくとも一層ずつ積み重ねる際に、誘電体と電極のパターン形成にマスク法を用いると共に、誘電体と電極の形成に厚みが0.05mm以上1mm以下、基体に接する側と蒸発源側のパターンの寸法差が20μm以上500μm以下のそれぞれ異なる蒸着マスクを使用する。
請求項（抜粋）：
基体上にドライプロセスを利用した薄膜形成手段を用いて誘電体と電極とを交互に少なくとも一層ずつ積み重ねる際に、前記誘電体と電極のパターン形成にマスク法を用いると共に、前記誘電体と電極で異なる蒸着マスクを用い、それぞれの蒸着マスクは前記基体に接する側よりも蒸発源側のパターン寸法を小さくしたことを特徴とする薄膜積層コンデンサの製造方法。
IPC (4件)：
H01G 4/06 102
, C23C 14/04
, H01G 4/12 364
, H01G 4/30 311
