特許
J-GLOBAL ID:200903049507985453
半導体ウエハーの熱処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石井 暁夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-259002
公開番号(公開出願番号):特開平11-097366
出願日: 1997年09月24日
公開日(公表日): 1999年04月09日
要約:
【要約】【課題】 不活性ガスを充填したチャンバー1内に装填の半導体ウエハー2を、前記チャンバー1の外側に配設した光源3,4からの光にて加熱するに際して、前記半導体ウエハー2の均一、且つ、安定した加熱を図る。【手段】 前記チャンバー1の内面と、半導体ウエハー2との間に、前記光源からの光及び前記チャンバーからの輻射熱を吸収する材料にて半導体ウエハーよりも大きい面積に構成した中間板7,8を、半導体ウエハーと平行に配設する。
請求項(抜粋):
不活性ガスを充填したチャンバー内に、被熱処理の半導体ウエハーを装填する一方、前記チャンバーの外側に、前記半導体ウエハーに対する加熱源としての光源を配設して成る熱処理装置において、前記チャンバーの内面と、半導体ウエハーとの間に、前記光源からの光及び前記チャンバーからの輻射熱を吸収する材料にて半導体ウエハーの周辺部より外側にはみ出すように大きい面積に構成した中間板を、半導体ウエハーと平行に配設したことを特徴とする半導体ウエハーの熱処理装置。
前のページに戻る