特許

J-GLOBAL ID：200903049509623087

電界効果型半導体装置およびその製造方法

発明者： 松下 重治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173534
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087368
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 良好なゲート耐圧特性を維持しつつ表面特性に基づく素子性能の低下が防止された電界効果型半導体装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 動作層4上にPtからなる第1の電極層5を形成し、第1の電極層5を覆うように動作層4上にPtとは異なる材料からなる第2の電極層6を形成する。第1の電極層5下部の動作層4内にPtからなる埋め込み電極層50を形成する。第1の電極層5、第2の電極層6および埋め込み電極層50がゲート電極7を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板または半導体層上に形成されかつ一部が前記半導体基板または半導体層内に埋め込まれたゲート電極を備えたことを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/46 H ,  H01L 29/80 M