SiH基を含有する含窒素有機系化合物の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-135021
公開番号（公開出願番号）：特開2003-327593
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】【課題】貯蔵安定性に優れたSiH基を有する含窒素有機系化合物を安定的に製造する手段を提供すること。【解決手段】SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する含窒素有機化合物(A)とSiH基を1分子中に少なくとも2個含有する化合物(B)をヒドロシリル化触媒(C)の存在下で反応させてSiH基を含有する含窒素有機系化合物を製造する際に、前記(A)成分を連続的に前記(B)成分に添加する。

請求項（抜粋）：

SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する含窒素有機化合物(A)とSiH基を1分子中に少なくとも2個含有する化合物(B)をヒドロシリル化触媒(C)の存在下で反応させてSiH基を含有する含窒素有機系化合物を製造する際に、前記(A)成分を連続的に前記(B)成分に添加することを特徴とする、SiH基を含有する含窒素有機系化合物の製造方法。

IPC (4件)：

C07F 7/21 , C08G 77/54 , C08K 5/3492 , C07B 61/00 300

FI (4件)：

C07F 7/21 , C08G 77/54 , C08K 5/3492 , C07B 61/00 300

Fターム (23件)：

4H039CA42 , 4H039CA92 , 4H039CF10 , 4H049VN01 , 4H049VP09 , 4H049VP10 , 4H049VQ59 , 4H049VQ87 , 4H049VS02 , 4H049VT17 , 4H049VW02 , 4H049VW32 , 4J002CP041 , 4J002DA117 , 4J002DE197 , 4J002EU186 , 4J002EU196 , 4J002EZ007 , 4J035CA021 , 4J035CA21M , 4J035CA22M , 4J035HA03 , 4J035HB02

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開昭50-000100

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