特許

J-GLOBAL ID：200903049511090380

薄膜トランジスタ

発明者： 小島 英嗣
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301216
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114732
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 バックゲート電極を備えた薄膜トランジスタにおいて、消費電力を小さくする。【構成】 一導電型の半導体薄膜14は同一導電型の不純物が高濃度に拡散されたソース領域16とドレイン領域17を有し、そのチャネル領域15の上面にはゲート絶縁膜18を介してゲート電極19が設けられ、その下面には強誘電体膜13を介してバックゲート電極12が設けられている。そして、pチャネルの場合、ゲート電極19とバックゲート電極12との間に所定の方向の電圧を印加すると、強誘電体膜13が分極を起こしてその半導体薄膜14と対向する面側が+となり、しかもこの分極が前記電圧の印加を停止しても維持されることになるので、強誘電体膜13に一度分極を起こさせてその半導体薄膜14と対向する面側を+とすると、バックゲート電極12に+の電圧が常時印加されているのと同様の効果が得られ、したがって消費電力を小さくすることができる。

請求項（抜粋）：

一導電型の不純物が拡散されたチャネル領域の両側に同一導電型の不純物が高濃度に拡散されたソース領域およびドレイン領域を有してなる半導体薄膜と、前記半導体薄膜のチャネル領域の一面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記半導体薄膜のチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域の他面に強誘電体膜を介して設けられたバックゲート電極と、を具備してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-260461
  
• 特開昭58-004974
  
• 特開昭63-115361