特許

J-GLOBAL ID：200903049519032281

半導体装置の製造方法

発明者： 長野 能久 ,  藤井 英治
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016829
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213364
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 容量素子を備えた半導体装置の作製において、エッチングガスに起因した容量素子誘電体膜の侵食を防止する。【構成】 上電極用白金膜3と誘電体膜2を、塩素を含むエッチングガスによりドライエッチングする。このとき上電極用白金膜3と誘電体膜2の側壁部6、露出した下電極用白金膜1の表面7に、エッチングガスが分解して生じた塩素の原子、イオンまたはラジカル等が大量に付着する。次に、水分と反応しにくい弗素またはそれを含むガスを放電させて得たプラズマを基板4に照射し、付着した塩素の原子等を弗素の原子によって置換させた後、下電極用白金膜1を選択的にドライエッチングして容量素子の電極を所定のパターンに形成する。弗素を含むガスで得たプラズマの照射に代えて、基板4を加熱することで付着した塩素の原子等を除去することができる。

請求項（抜粋）：

回路素子や配線等が形成された基板上に絶縁膜、下電極用白金膜、誘電体膜および上電極用白金膜を形成し、前記上電極用白金膜および前記誘電体膜を塩素、臭素および沃素の少なくとも一種を含むエッチングガスを使用して選択的にドライエッチングした後、水分と反応しにくい弗素またはそれを含むガスを放電させることにより発生するプラズマを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-302703   出願人：三菱電機株式会社