特許
J-GLOBAL ID：200903049521418944
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128531
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182496
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は簡単なテスト回路を搭載することにより検査時間を大幅に短縮することができる半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 格子状に配置されたメモリセル(MC)から成るメモリセルアレイ1を備え、前記メモリセルアレイ1からのデータ読みだし時にワードラインにより行単位で選択される複数のメモリセル(MC)と、該行単位で選択される複数のメモリセル(MC)のデータを増幅する複数のセンスアンプ2を備えた半導体記憶装置において、複数のセンスアンプ2の出力に接続され前記行単位で選択される複数のメモリセル内の任意の複数ビットのデータが同一の値であることを検出する手段50を備えた構成とする。
請求項（抜粋）：
格子状に配置されたメモリセルから成るメモリセルアレイを備え、前記メモリセルアレイからのデータ読みだし時にワードラインにより行単位で選択される複数のメモリセルと、該行単位で選択される複数のメモリセルのデータを増幅する複数のセンスアンプを備えた半導体記憶装置において、前記複数のセンスアンプの出力に接続され前記行単位で選択される複数のメモリセル内の任意の複数ビットのデータが同一の値であることを検出する手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 303
, G11C 11/401
