特許

J-GLOBAL ID：200903049528154543

集積回路素子の容量を増加させる方法

発明者： 李 鈞道 ,  李 正中 ,  崔 秉鉞
出願人/特許権者： 財団法人工業技術研究院
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-181128
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168745
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 ナノチューブを用いた集積回路素子の容量を増加させる方法を提供し、プロセスの簡便化および製造コストの引き下げを図る。【解決手段】 基板上に触媒領域をパターニングするステップと、触媒領域上にナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを形成するステップと、ナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトおよび基板上に第1誘電層を形成するステップと、第1誘電層上に電極層を形成するステップと、からなる。この方法によれば、コンデンサ電極の領域としてナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを用いているため、コンデンサ電極の底面積自体を広げることなく容量を増加させることができる。

請求項（抜粋）：

集積回路素子の容量を増加させる方法であって、基板上に触媒領域をパターニングするステップと、前記触媒領域上にナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを形成するステップと、前記ナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルト、および前記基板上に第1誘電層を形成するステップと、前記第1誘電層上に電極層を形成するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8242 ,  B82B 1/00 ZNM ,  H01L 27/108

FI (3件)：

B82B 1/00 ZNM ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 661

Fターム (6件)：

5F083AD21 ,  5F083AD42 ,  5F083AD61 ,  5F083GA09 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21