特許

J-GLOBAL ID：200903049529458252

MIS型電界効果トランジスタ

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-330777
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173203
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 GaN系3-5族化合物半導体からなる良好なMIS型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 基板1上にGaN系3-5族化合物半導体からなる半導体層2、3、4、5および絶縁層6を順次積層してなるMIS型電界効果トランジスタであって、前記絶縁層6はカーボンを1×1018cm-3以上、5×1020cm-3以下含むGaN系3-5族化合物半導体からなる。

請求項（抜粋）：

基板上にGaN系3-5族化合物半導体からなる半導体層および絶縁層を順次積層してなるMIS型電界効果トランジスタであって、前記絶縁層はカーボンを1×1018cm-3以上、5×1020cm-3以下含むGaN系3-5族化合物半導体からなることを特徴とするMIS型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/80 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/80 A ,  H01L 29/78 301 B