特許

J-GLOBAL ID：200903049532579303

電界効果トランジスタのバイアス安定化回路

発明者： 川崎 英俊
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079371
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246882
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 外付け部品を用いることなく且つ無調整で、デバイス特性のばらつきや電源電圧変動の影響を受けずにバイアスを安定化させる。【解決手段】 FET13のバイアスを安定化させるカレントミラー方式によるバイアス安定化回路は、FET13と共にカレントミラー回路を構成するバイアス制御用のFET19と、FET19に対する負荷抵抗としての電流飽和抵抗Rcsとを備えている。電流飽和抵抗Rcsは、印加電圧が所定の電圧に達するまでは電流が印加電圧に比例して増加するが、印加電圧が所定の電圧以上のときには電流が飽和して略一定になる。電流飽和抵抗Rcsによって、FET13,19の特性のばらつきや電源電圧の変動によらずに、FET19側の電流Idd1 は一定に保持され、その結果FET13側の電流Idd2 も一定に保持される。

請求項（抜粋）：

バイアス安定化の対象となるエンハンスメントモードの電界効果トランジスタと共にカレントミラー回路を構成するバイアス制御用のエンハンスメントモードの電界効果トランジスタを備え、バイアス安定化の対象となる電界効果トランジスタのバイアスを安定化させるカレントミラー方式による電界効果トランジスタのバイアス安定化回路において、前記バイアス制御用の電界効果トランジスタに対する負荷抵抗として、所定値以上の印加電圧に対して電流が飽和する電流飽和抵抗を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタのバイアス安定化回路。

IPC (2件)：

H03F 3/193 ,  H03K 19/0952

FI (2件)：

H03F 3/193 ,  H03K 19/094 S