特許
J-GLOBAL ID：200903049532948660
焦電型赤外線素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101821
公開番号（公開出願番号）：特開平7-286897
出願日： 1994年04月16日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 大面積の焦電型赤外線素子を安価に提供すること。【構成】 Si基板1上にSiO2 膜2を形成し、次に、TiO2 膜3を形成した後、このTiO2 膜3の表面にPZT薄膜4を形成するようにして、焦電型赤外線素子を製造する。
請求項（抜粋）：
基板の表面にPZT薄膜を形成してなる焦電型赤外線素子において、前記基板としてSi基板を用いるとともに、このSi基板とPZT薄膜との間にTiO2 膜を介装したことを特徴とする焦電型赤外線素子。
IPC (2件)：
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