III族窒化物膜の製造方法及びエピタキシャル基板

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-005893
公開番号（公開出願番号）：特開2002-212000
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】反り量を抑制することのできる新規なIII族窒化物膜の製造方法を提供するとともに、この製造方法を用い、反り量を大幅に改善したエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】サファイア基板などから構成される基板1上に、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の、少なくともAlを含有するIII族窒化物緩衝膜2を形成する。次いで、このIII族窒化物緩衝膜2上に、III族窒化物下地膜3を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶材料からなる基板上に、少なくともAlを含み、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下のIII族窒化物緩衝膜を形成し、このIII族窒化物緩衝膜上に、III族窒化物膜をエピタキシャル成長によって形成することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (29件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE23 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB11 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA58 , 5F045EE12

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体の製造方法及び半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-143868 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭59-057997
特開昭59-057997

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