特許

J-GLOBAL ID：200903049535901281

半導体レーザ装置

発明者： 山中 豊
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168545
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021890
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】偏光制御をされた垂直共振器型の半導体レーザ装置を得る。【構成】垂直共振器を構成するメサ側面の一部分に金属膜を設けることで、直交する偏光間で共振器損失に差を生じさせ、特定の偏光方向で発振する半導体レーザ装置を得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の反射ミラー層、活性層、第2の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直共振器型の半導体レーザ装置において、メサエッチングにより共振器側面を形成し、前記側面の一部分にのみ金属膜を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。