特許
J-GLOBAL ID：200903049542551113
エッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
守谷 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310279
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163467
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 エッチングの形状を向上させる。【構成】 反応ガス噴出口28が穿設された上部電極26と下部電極27を備えた反応容器25内に反応ガスを導入し、反応ガスをプラズマ化して下部電極27上の半導体ウェハ10のSiO2膜のエッチングを行う。上部電極26の反応ガス噴出口28が設けられる部分、反応ガス噴出有効径rを半導体10の径より小さくする。【効果】 反応ガスの噴出速度を速くし、エッチングにより形成される壁面に反応生成物が付着するのを防止できる。そのため半導体ウェハ全面に亘って均一な処理が行なえ、Arガスの量を少なくできるため、SiO2膜を選択的にエッチングでき、ランニングコストを抑えることができる。
請求項（抜粋）：
複数の反応ガス噴出口を有した上部電極及び下部電極を設けた反応室を備え、前記反応ガス噴出口から供給される反応ガスをプラズマ化して前記下部電極上に載置された被処理体をエッチング処理するエッチング装置において、前記上部電極の前記反応ガス噴出有効径が前記被処理体の径より小さいことを特徴とするエッチング装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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