半導体基板の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012172
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218037
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】埋込エピ成膜工程においてより埋込性を向上させることが可能となる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1にトレンチ3を形成し、エピタキシャル成長法によりトレンチ3内を含めたシリコン基板1上にエピタキシャル膜4を形成し、塩化水素を含んだ雰囲気においてエピタキシャル膜4の形成の際の処理圧力以上の雰囲気下にて塩化水素の気相エッチング作用を用いたエピタキシャル膜4の一部のエッチング処理と、エピタキシャル膜(5,6)の成膜処理とを複数回行ってトレンチ3内を重ねたエピタキシャル膜(4,5,6)にて埋め込む。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)にトレンチ(3)を形成する工程と、エピタキシャル成長法により前記トレンチ(3)内を含めた半導体基板(1)上にエピタキシャル膜(4)を形成する工程と、ハロゲン化物を含んだ雰囲気において前記エピタキシャル膜(4)の形成の際の処理圧力以上の雰囲気下にてハロゲン化物による気相エッチング作用を用いて前記エピタキシャル膜(4)の一部をエッチングする工程と、再度、エピタキシャル成長法により前記トレンチ(3)内を含めた半導体基板(1)上にエピタキシャル膜(5)を形成して前記トレンチ(3)内を重ねたエピタキシャル膜(4,5)にて埋め込む工程と、前記半導体基板(1)上のエピタキシャル膜(4,5)の表面を平坦化する工程と、を備えたことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/30 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/30 , H01L 21/302 P

Fターム (18件)：

4K030BA40 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 5F004AA16 , 5F004BA19 , 5F004DA29 , 5F004DB01 , 5F004EA27 , 5F004EA34 , 5F045AA06 , 5F045AB02 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045HA13

前のページに戻る