特許

J-GLOBAL ID：200903049549039590

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 遠藤 正文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-147999
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339495
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 データ記憶時および読み出し時のエラーを抑制でき、センシング時間の短縮およびS/Nのマージンを十分にとることができ、大容量且つ高精度なデータ記憶を実現できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 符号化回路によりM個の入力データを一単位としてN個の誤り訂正符号を付加し、得られたK個のデータに乱数加算回路で生成されたK個の乱数列を加算することにより乱数化し、乱数化したデータをフラッシュメモリセルアレイに記憶する。メモリセルアレイから読み出されたデータに対して、乱数減算回路において加算した乱数を減算処理により除去し、さらに誤り訂正回路により付加された誤り訂正符号に基づき誤りを訂正するので、データ記憶時および読み出し時に生じたエラーを訂正でき、多値メモリにおけるエラー発生の確率を低減させ、大容量且つ高精度なデータ記憶を実現できる。

請求項（抜粋）：

複数の不揮発性メモリセルにより構成されたメモリセルアレイと、M(Mは2以上の整数)個のデータからなる疑似乱数列を発生する乱数発生手段と、M個のデータを有する入力データと上記乱数発生手段により発生された上記疑似乱数列とに基づき所定の演算を行い、当該演算によって乱数化されたM個のデータを上記メモリセルアレイに保持させる乱数化手段とを有する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 631 ,  H01L 27/10 451

FI (2件)：

G11C 29/00 631 Z ,  H01L 27/10 451