特許

J-GLOBAL ID：200903049549119829

強誘電体薄膜、強誘電体キャパシタ、及び強誘電体メモリ素子の製造方法

発明者： 御手洗 俊 ,  広中 克行
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038194
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243628
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】上部電極を形成する前に、平坦性を失うことなく結晶化できる強誘電体膜、及びそれを用いる強誘電体キャパシタと強誘電体メモリ素子の製造方法を提供する。【解決手段】結晶化温度より低い成膜温度で表面平坦性を保った状態で強誘電体薄膜14を形成し、該強誘電体薄膜の表面に平坦性保持膜15を形成して、結晶化熱処理を行なう。該平坦性保持膜は絶縁体であり、また、酸素透過性、水素バリア性、又は、強誘電体の構成元素の拡散バリア性を有する。

請求項（抜粋）：

熱処理によって強誘電体薄膜を結晶化する強誘電体薄膜の製造方法であって、結晶化温度より低い成膜温度で前記強誘電体薄膜を形成する工程と、前記強誘電体薄膜の表面に、前記強誘電体薄膜の表面の平坦性を保持する平坦性保持膜を形成する工程と、前記強誘電体薄膜が前記平坦性保持膜に被覆された状態で結晶化熱処理を行なう工程と、前記平坦性保持膜の少なくとも一部を除去する工程とを有する強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (29件)：

5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH20 ,  5F083FR02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34