特許
J-GLOBAL ID：200903049550588840
光電変換半導体装置作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040571
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112514
出願日： 1983年11月24日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 レーザスクライブによる作製に適した光電変換装置を提供する。【構成】 絶縁基板上に複数個の光電変換素子を電気的に直列に連結せしめて配設した光電変換装置であって、該光電変換装置は、前記絶縁基板上に形成された第1の導電膜と、該第1の導電膜を前記光電変換素子の各々の第1の電極とするための第1の開溝と、前記導電膜を覆ってPIN接合を少なくとも1つ有する非単結晶半導体と、該半導体を前記複数の光電変換素子の各々の半導体とするための第2の開溝と、前記非単結晶半導体上に第2の導電膜と、該導電膜を前記複数の光電変換素子の各々の第2の電極とするための第3の開溝とを有し、前記第2の開溝は前記第1の開溝の側面より30μm以上離れて設けられていることを特徴とする
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に複数個の光電変換素子を電気的に直列に連結せしめて配設した光電変換装置であって、該光電変換装置は、前記絶縁基板上に形成された第1の導電膜と、該第1の導電膜を前記光電変換素子の各々の第1の電極とするための第1の開溝と、前記導電膜を覆ってPIN接合を少なくとも1つ有する非単結晶半導体と、該半導体を前記複数の光電変換素子の各々の半導体とするための第2の開溝と、前記非単結晶半導体上に第2の導電膜と、該導電膜を前記複数の光電変換素子の各々の第2の電極とするための第3の開溝とを有し、前記第2の開溝は前記第1の開溝の側面より30μm以上離れて設けられていることを特徴とする光電変換装置。
引用特許：
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