特許

J-GLOBAL ID：200903049555626554

半導体装置

発明者： 越久 和俊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 村上 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032749
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198802
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上のパターン面積を大きくすることなく、高耐圧のMOS型トランジスタ及び抵抗を得ることを目的とする。【構成】 ドレイン8の周囲に形成された分離絶縁膜6の下に、前記ドレイン8と同じ導電型であって前記ドレイン8より不純物濃度の低い拡散層7を形成し、更にその周囲にゲート4及びソース9をリング状、櫛状、または並列状に配置した。

請求項（抜粋）：

ドレインと、このドレインの周囲に形成された分離絶縁膜と、この分離絶縁膜下に前記ドレインと同じ導電型であって前記ドレインより不純物濃度の低い拡散層を備え、前記ドレインを中心部分に配置して、その周囲にゲート及びソースを配置したことを特徴とする半導体装置。