特許

J-GLOBAL ID：200903049560258350

高密度マルチチップモジュールおよびその製造方法

発明者： 青木 真
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-103036
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297927
出願日： 1998年04月14日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 マルチチップモジュールを構成するに際して一般的に使用されている半導体チップをそのまま使用して積層高密度化する高密度マルチチップモジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 非回路面相互間を接合して一体化した半導体チップ1、2を具備し、MCM基板3に電気機械的に接続されるサブ基板5を具備し、一体化した半導体チップ1、2の内の一方の半導体チップ1をMCM基板3にフリップチップ接続すると共に他方の半導体チップ2をサブ基板5にワイヤボンディング接続した高密度マルチチップモジュールおよびその製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体チップをMCM基板に実装するMCMにおいて、非回路面相互間を接合して一体化した半導体チップを具備し、MCM基板に電気機械的に接続されるサブ基板を具備し、一体化した半導体チップの内の一方の半導体チップをMCM基板にフリップチップ接続すると共に他方の半導体チップをサブ基板にワイヤボンディング接続したことを特徴とする高密度マルチチップモジュール。

IPC (5件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 311 S