電荷トラップ密度の評価方法および装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192687
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007791
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】誘電体膜内の電荷トラップ密度を精度よく測定する。【解決手段】電荷トラップ密度を評価する誘電体膜を、ゲート電極下の積層体内に電荷蓄積層として備えた評価素子を作製する。この評価素子に対し、ゲートパルスの印加時間を種々変えながら電荷注入する。その前後でのゲート閾値電圧Vthのシフト量ΔVthを求め、たとえば、それを微分してシフト量の時間変化率dΔVth/dtのパルス印加時間依存性を求める(図14)。このデ-タ列からパルス印加時間tがゼロのときを外挿して、シフト量の基礎率を求め、その理論式に当てはめる。あるいは、理論式をデータ列にフィッテイングさせる。これにより、注入電荷によるポテンシャル変化の影響を無視できる領域で、電荷トラップ密度に比例した電荷捕獲率η(=Nσ)または電荷トラップ密度Nを有効に算出することができる。

請求項（抜粋）：

電荷トラップ密度を評価する誘電体膜を、チャネルが形成される半導体とゲート電極間の積層体内に電荷蓄積層として備えた評価素子を作製し、上記ゲート電極に所定電圧を供給するパルスの印加時間を種々変えながら上記誘電体膜内に電荷を注入し、当該評価素子のゲート閾値電圧シフト量の時間変化率のパルス印加時間依存性を求め、求めた上記シフト量の時間変化率デ-タ列からパルス印加時間がゼロのときを外挿して、シフト量の基礎変化率を求め、ゲート閾値電圧シフト量の電荷注入時間変化の理論計算式に上記基礎変化率を当てはめることにより、注入電荷によるポテンシャル変化の影響を無視できる領域で、電荷トラップ密度に比例した電荷捕獲率または電荷トラップ密度を算出する各工程を含む電荷トラップ密度の評価方法。

Fターム (6件)：

4M106AA07 , 4M106AA12 , 4M106AB01 , 4M106BA14 , 4M106CB30 , 4M106DJ14

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