特許
J-GLOBAL ID：200903049564628446
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-262838
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074958
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 高集積化に伴うコンタクトホールの高アスペクト比化を抑制し、配線材料、パッシベーション膜のカバレッジを改善する。【構成】 シリコン基板101上のフィールド絶縁層102で囲まれた領域内にトランジスタ等の機能素子を形成した後、その上に第1酸化シリコン層106、第1BPSG層107、第1導体層108、第2酸化シリコン層109、窒化シリコン層110、第2BPSG膜111を設ける。コンタクトホール形成個所に開口を有するフォトレジスト112を用い、第2BPSG膜111に等方性エッチングを施し(このとき窒化シリコン層はエッチングストッパとして働く)、続いて異方性ドライエッチングにより、第2酸化シリコン層109に垂直な開口を形成する。形成されたコンタクトホールを介してn+ 拡散層と接触する第2導体層113およびパッシベーション層114を形成する。
請求項（抜粋）：
下層導電体層と、前記下層導電体層上の絶縁膜上に設けられた中間配線層と、前記中間配線層上に設けられた配線間絶縁層と、前記下層導電体層と接続された上層配線層と、を有する半導体装置において、前記配線間絶縁層が、大面積の開口が形成された上層絶縁膜と、前記大面積の開口を形成するときにエッチングストッパとして機能する中間絶縁膜と、前記大面積の開口の下に、前記上層配線を前記下層導電体層に接続する小面積の開口を有している下層絶縁膜と、を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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