特許
J-GLOBAL ID:200903049568309124

厚膜パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 土井 育郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-249017
公開番号(公開出願番号):特開平8-112763
出願日: 1994年10月14日
公開日(公表日): 1996年05月07日
要約:
【要約】【目的】 サンドブラスト法で厚膜パターンを形成するに際し、基板上の所望の場所に平坦な膜面のパターン形成層を形成してその上に良好なマスク層を設けることができるようにする。【構成】 基板上にパターン形成層を形成し、その上に耐サンドブラスト性を有する所望パターンのマスク層を設け、該マスク層を介してサンドブラスト処理を行った後、マスク層を除去して目的とする厚膜パターンを形成する厚膜パターン形成方法において、バイアスの異なるスクリーン版A,B,Cを使用してスクリーン印刷の重ね刷りにより前記パターン形成層を形成する。印刷面に生じるスクリーン版の紗の目の跡が相殺されることになり膜面の平坦平坦なパターン形成層が得られる。
請求項(抜粋):
基板上にパターン形成層を形成し、その上に耐サンドブラスト性を有する所望パターンのマスク層を設け、該マスク層を介してサンドブラスト処理を行った後、マスク層を除去して目的とする厚膜パターンを形成する厚膜パターン形成方法において、バイアスの異なるスクリーン版を使用してスクリーン印刷の重ね刷りを行うことにより前記パターン形成層を形成することを特徴とする厚膜パターン形成方法。

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