特許
J-GLOBAL ID：200903049575889802
表面処理方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060416
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273090
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 簡単な装置構成で、高速且つ高精度のドライエッチングを可能とする。【構成】 プラズマを発生させるイオン源1と、該イオン源1からイオン引出電極4a 、4b 、4c で引き出されたイオンビームを中性ビームに変換する電荷交換室2と、該電荷交換室2で生成した中性ビームを入射させて被処理体Sを処理する処理室3とを備えた表面処理装置において、電荷交換室2と処理室3との間に配設された、3枚のメッシュ状のイオン反発電極5a 、5b 、5c のそれぞれに適切な電位を印加することにより、電荷交換室2に引き出されたイオンビームを中性ビームに変換して処理室3に入射させ、該中性ビームにより被処理体Sをエッチングする際、該中性ビームにイオンビームを適量混合する。
請求項（抜粋）：
プラズマから引き出したイオンビームを中性ビームに変換して該中性ビームを被処理体の表面に照射して表面処理を行う際、被処理体に照射する中性ビームにイオンビームを混合することを特徴とする表面処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 F
