特許
J-GLOBAL ID：200903049579413047
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-299868
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109813
出願日： 1991年10月19日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高集積化を可能とし、かつ機械的強度を高めた電極パッドを有する半導体装置を得る。【構成】 上層配線で電極パッド1を構成し、この電極パッド1の直下にダミー配線6を含む複数本の下層配線3,5,6を形成し、電極パッド1と複数本の下層配線のうち、異なる電位以外の下層配線3,6とを複数のスルーホール7で接続する。このため、層間絶縁膜12に対する電極パッド1及び下層配線の接触面積が増大でき、機械的強度を向上することが可能となる。
請求項（抜粋）：
少なくとも2層以上の金属配線層を有する半導体装置において、層間絶縁膜上に形成した上層配線で電極パッドを構成し、この電極パッドの直下において前記層間絶縁膜下に複数本の下層配線を形成し、前記電極パッドと複数本の下層配線とを複数のスルーホールで接続したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/321
H01L 21/88 T
, H01L 21/92 C
