特許
J-GLOBAL ID：200903049583003392

リグニンのフェノール誘導体の生産方法

発明者：
舩岡 正光

舩岡 正光 について

, 
永松 ゆきこ

永松 ゆきこ について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (2件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所 ,  中村 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-284309
公開番号（公開出願番号）：特開2004-115736
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】リグノセルロース系材料からリグニン誘導体を得るのに際して、リグニン誘導体の物性や生産効率等を制御できる技術を提供する。【解決手段】リグニンのフェノール誘導体の生産方法において、フェノール誘導体によりリグノセルロース系材料を親和する工程、及びフェノール誘導体により予め親和されたリグノセルロース系材料に酸を添加して得られる反応系においてリグニンにフェノール誘導体を導入する工程、の少なくとも一つの工程において、リグノセルロース系材料を含む混合系に対して超音波を照射するようにする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
リグニンのフェノール誘導体の生産方法であって、 フェノール誘導体によりリグノセルロース系材料を親和する工程、及び フェノール誘導体により予め親和されたリグノセルロース系材料に酸を添加して得られる反応系においてリグニンにフェノール誘導体を導入する工程、 の少なくとも一つの工程において、リグノセルロース系材料を含む混合系に対して超音波を照射する、方法。
IPC (1件)：
C08J3/28
FI (1件)：
C08J3/28
Fターム (12件)：
4F070AA66 ,  4F070HA08 ,  4F070HB14 ,  4F070HB15 ,  4J200AA02 ,  4J200AA04 ,  4J200BA07 ,  4J200BA36 ,  4J200BA38 ,  4J200EA11 ,  4J200EA20 ,  4J200EA21
引用特許：
審査官引用 (3件)

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