特許
J-GLOBAL ID：200903049586047234
光検出素子及び撮像素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135063
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326906
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 入射光の偏光依存性が無く、暗電流の小さい光検出素子及び撮像素子を提供する。【解決手段】 光検出素子10は、主に半絶縁性GaAs基板12、基板12上に形成され、下側コンタクト層14と上側コンタクト層16に挟まれた光吸収層18及び上下二つのコンタクト層14、16の一部にそれぞれ形成され、外部回路と接続されたオーミック電極20から構成されている。光吸収層18は、厚さ20nm程度のGaAs障壁層22と、SiドープされたIn0.5Ga0.5As層24とを交互に積み重ね、それぞれ50層程度積層したものである。SiドープされたIn0.5Ga0.5As層には、一つの大きさが、底面の直径が5〜30nm、高さが3〜10nmであり、面密度108〜1012cm-2で配置された量子ドット26が形成されている。
請求項（抜粋）：
不純物をドープされていない第1の半導体からなる層を複数層積層させ、前記各層間に、p型またはn型にドープされ、且つバンドギャップが前記第1の半導体よりも小さい第2の半導体からなると共に縦、横、高さとも30nm以下の大きさである複数の量子ドットを、108〜1012個/cm2の面密度で介在させた光吸収層と、前記光吸収層の互いに対向する面にそれぞれ接続されたオーミック電極と、から構成されていることを特徴とする光検出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 K
