特許
J-GLOBAL ID：200903049589373493
半導体基板とその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194282
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100676
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 高周波トランジスタの作製に適したSOI基板となり得る半導体基板を提供する。【解決手段】 半導体層領域を含む第1の基材を第2の基材に貼り合わせ、該第2の基材上に該半導体層領域を残して該第1の基材を除去する半導体基板の作製方法において、前記貼り合わせの雰囲気中におけるP型不純物の濃度とN型不純物の濃度の大小関係を第2の基材の構成に応じて選択することを特徴とする方法により半導体基板を作製する。
請求項（抜粋）：
半導体層領域を含む第1の基材と第2の基材とを貼り合せ、該第2の基材上に該半導体層領域を残して該第1の基材を除去する工程を含む半導体基板の作製方法において、該第2の基材の構成に応じて、前記貼り合せの工程を行う雰囲気中のN型不純物の濃度とP型不純物の濃度の大小関係を定めることを特徴とする半導体基板の作製方法。
引用特許：
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