特許

J-GLOBAL ID：200903049591361680

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 山野 要
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-098823
公開番号（公開出願番号）：特開平8-297986
出願日： 1995年04月24日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 電圧変換効率が高く電流供給能力の大きいDC-DCコンバータ6と昇圧に要する時間の短いチャージポンプ回路7とを組み合わせた昇圧回路を用いることにより、消費電力や電流供給能力と動作速度についての性能バランスが優れたシステムの設計者が使い易いフラッシュメモリ1を提供することを目的としている。【構成】 フラッシュメモリ1の内部に、電源電圧VCCを+7〜+9V程度の中電圧に昇圧するDC-DCコンバータ6と、この中電圧を+12V程度のチャージポンプ回路7とを備えた。

請求項（抜粋）：

低電圧と高電圧との間で2種類以上の動作電源電圧を必要とする不揮発性半導体記憶装置において、外部から供給される低電圧の電源電圧を昇圧するDC-DCコンバータと、該DC-DCコンバータが昇圧した出力電圧をさらに昇圧し高電圧の電源電圧として供給するチャージポンプ回路とを備える不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  H02M 3/00 ,  H02M 3/07

FI (3件)：

G11C 17/00 309 D ,  H02M 3/00 H ,  H02M 3/07