特許
J-GLOBAL ID:200903049592123643
架橋基を含有する低誘電性ポリイミド及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-232054
公開番号(公開出願番号):特開2000-063518
出願日: 1998年08月18日
公開日(公表日): 2000年02月29日
要約:
【要約】【解決手段】 式(1)で表される繰り返し単位からなり、その分子末端が式(2-A)及び/又は式(2-B)で表され、かつ、『式(2-A)で表される分子末端』/『式(2-B)で表される分子末端』のモル比が、100/0から1/99である、架橋基を含有する低誘電性ポリイミド。【効果】 本発明に係る架橋基を含有する低誘電性ポリイミドは、電気、電子機器で必要とされる低誘電性を有するのみでなく、熱処理することにより架橋し、機械特性及び耐薬品性が大幅に向上し、優れた電気、電子材料用の樹脂として極めて有用である。本発明に係る架橋基を含有する低誘電性ポリイミドを硬化させて得られる架橋型ポリイミドは、優れた電気特性のみならず、優れた耐薬品性と機械特性を併せ有し、電気・電子材料等へ好適に応用できる。
請求項(抜粋):
式(1)[化1]で表される繰り返し単位からなり、その分子末端が式(2-A)[化2]及び/又は式(2-B)[化2]で表され、かつ、『式(2-A)[化2]で表される分子末端』/『式(2-B)[化2]で表される分子末端』のモル比が、100/0から1/99である、架橋基を含有する低誘電性ポリイミド。【化1】【化2】
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (104件):
4J002AC032
, 4J002BB032
, 4J002BB122
, 4J002BC032
, 4J002BD032
, 4J002BD102
, 4J002BD152
, 4J002BF022
, 4J002BN152
, 4J002CC002
, 4J002CF062
, 4J002CF072
, 4J002CF162
, 4J002CG002
, 4J002CH062
, 4J002CH072
, 4J002CH092
, 4J002CL002
, 4J002CM041
, 4J002CM042
, 4J002CN012
, 4J002CN032
, 4J002CP032
, 4J043PA02
, 4J043PA19
, 4J043PB05
, 4J043PB17
, 4J043PB23
, 4J043QB15
, 4J043QB26
, 4J043QB31
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, 4J043RA35
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, 4J043SA43
, 4J043SA44
, 4J043SA52
, 4J043SA53
, 4J043SA54
, 4J043SA72
, 4J043TA21
, 4J043TA22
, 4J043TA71
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, 4J043UA122
, 4J043UA131
, 4J043UA132
, 4J043UA141
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, 4J043UA161
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, 4J043ZA43
, 4J043ZA51
, 4J043ZA52
引用特許:
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