特許

J-GLOBAL ID：200903049595965114

インダクタ

発明者： 小田 麻友美 ,  中塚 忠良
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-173874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082736
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に集積化が可能であり、かつ大きなインダクタンス値を持つインダクタを提供する。【構成】 半導体基板201の所定の領域に形成したNi-Zn系フェライト薄膜202の上に渦状の第1層配線203を形成し、全体を層間膜205で覆い、その上に第1層配線203とコンタクト部207bで接続した渦状の第2層配線204bを形成し、最後に全体を保護膜206で覆っている。第1層配線203の間および第2層配線204bの間に空隙210a,210bを設けている。【効果】 第1層配線203の下部に強磁性体薄膜であるNi-Zn系フェライト薄膜202を形成したことにより、同一面積で従来比20倍以上のインダクタンス値が得られる。空隙210a,210bを設けることにより、集積度を高めた時の各配線間容量の増加による自己共振周波数の低下を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した渦状の金属薄膜と、この金属薄膜の上面または下面に形成した強磁性体薄膜とを備えたインダクタ。