特許
J-GLOBAL ID：200903049601396402
バンプの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 崇生 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295217
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118872
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 形成されるバンプの高さにバラツキが生じにくく、短時間でメッキが行え、ウエハサイズ等に依存しにくいバンプの形成方法を提供する。【解決手段】 チップ部品21の複数の電極部22に、直接又は導電層を介して金属製のバンプ24aを形成するバンプの形成方法において、前記電極部22を有する部分の略全面に、前記バンプ24aを構成する金属のメッキ層24を形成した後、そのメッキ層24の前記バンプ24aを形成する表面部分にマスク層25を形成し、次いで、そのメッキ層24のエッチングを行ってから前記マスク層25を除去する工程を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
チップ部品の複数の電極部に、直接又は導電層を介して金属製のバンプを形成するバンプの形成方法において、前記電極部を有する部分の略全面に、前記バンプを構成する金属のメッキ層を形成した後、そのメッキ層の前記バンプを形成する表面部分にマスク層を形成し、次いで、そのメッキ層のエッチングを行ってから前記マスク層を除去する工程を有することを特徴とするバンプの形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 Q
