特許

J-GLOBAL ID：200903049603158657

シリコン単結晶の生成方法及び装置

発明者： エーリッヒ・トムツィヒ ,  ヴォルフガング・ヘンゼル ,  ラインハルト・ヴォルフ
出願人/特許権者： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268775
公開番号（公開出願番号）：特開平9-142988
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：

【要約】【課題】 大径のインゴット型シリコン単結晶を生成可能な改良型FZ方法、及びその方法の実施に適した装置を提供すること。【解決手段】 本発明は、環状の誘導加熱コイルを用いて種結晶上に液体シリコンの溶融キャップを生成して種結晶を一定の引張速度で下降させ、溶融キャップのシリコンを種結晶上で固化させて単結晶を形成する、大径のインゴット型シリコン単結晶の製造方法に関する。この方法は、固体シリコンを溶融装置内で溶融して液状で溶融キャップに供給する、ことを特徴とする。本発明は、更に、この方法を実施するための装置に関する。

請求項（抜粋）：

環状の誘導加熱コイルを用いて種結晶上に液体シリコンの溶融キャップを生成して種結晶を一定の引張速度で下降させ、溶融キャップのシリコンを種結晶上で固化させて単結晶を形成する、大径のインゴット型シリコン単結晶の製造方法であって、固体シリコンを溶融装置内で溶融して液状で溶融キャップに供給する、ことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 501 ,  C30B 13/00 ,  C30B 15/08 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/06 501 A ,  C30B 13/00 ,  C30B 15/08 ,  H01L 21/208 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-246894
  
• 特開昭51-117186