特許
J-GLOBAL ID:200903049604492771

遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩野 平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-146774
公開番号(公開出願番号):特開2000-338673
出願日: 1999年05月26日
公開日(公表日): 2000年12月08日
要約:
【要約】【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、孤立ラインパターンのデフォーカスラチチュードが広い、優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに特定の構造のラクトンを有する繰り返し単位と、特定の構造のアダマンタン構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(イ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに(ロ)下記一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位と、下記一般式(II)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(I)中;Ra'は水素原子、炭素数1〜4個のアルキル基を表す。但し、m’=0又は2の時、Ra’は炭素数1〜4個のアルキル基を表す。Rb'〜Re'は各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。m’は、0から2の整数を表し、n’は、1〜3の整数を表す。m’+n’は、2以上6以下である。【化2】一般式(II)中;R1は、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。R2〜R4は、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2〜R4のうち少なくとも1つは、水酸基を表す。
IPC (3件):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (12件):
2H025AA03 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB52

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