特許

J-GLOBAL ID：200903049605818093

成膜方法及びその装置

発明者： 新井 道夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021388
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223421
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 触媒CVD法の特長を生かしながら、堆積種(イオン、ラジカルなどの反応種)の運動エネルギーを十二分にコントロールして、基板にダメージを与えることなしに各種生成膜の膜質向上、生成膜の基板との密着性向上、生成膜密度の向上、生成速度の向上、生成膜平滑性の向上、ビアホールなどへの埋め込み性とステップカバレージの向上、基板温度の更なる低温化、生成膜のストレスコントロール等を可能とし、高品質膜を形成できる成膜方法と、この方法に用いる成膜装置を提供すること。【解決手段】 シランガスなどの原料ガス40を加熱されたタングステンなどの触媒体46に接触させ、これによって生成した堆積種又はその前駆体にDC電圧49を印加し、これによるDC電界を作用させて運動エネルギーを与え、基板1上に多結晶シリコンなどの所定の膜を気相成長させる。

請求項（抜粋）：

原料ガスを加熱された触媒体に接触させ、これによって生成した堆積種又はその前駆体を基体上に導き、所定の膜を気相成長させるに際し、前記原料ガスの供給手段と前記基体との間の領域において、前記触媒体と対向電極との間に電圧を印加して加速電界を形成する成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44 A ,  C23C 16/44 B

Fターム (42件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030BB03 ,  4K030CA01 ,  4K030CA05 ,  4K030HA07 ,  4K030KA20 ,  4K030KA23 ,  4K030LA12 ,  5F045AA16 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045BB17 ,  5F045BB19 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EF05