電界効果トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221785
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088236
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】高い利得を有するとともに、動作特性の温度安定性に優れた電界効果トランジスタを提供する。【構成】 FET10には、高抵抗性のダイヤモンドからなるバッファ層30と、導電性のダイヤモンドからなる活性層40と、高抵抗性のダイヤモンドからなるキャップ層31とが基板20上に順次積層され、ショットキー接触性のゲート電極層50と、オーミック接触性のソース電極層51及びドレイン電極層52とがキャップ層31上に形成されている。ここで、活性層40のドーパント濃度はキャリアの伝導を金属的に支配する程度の値であり、活性層40の層厚はドーパントの分布を二次元的に整列させる程度の値である。すなわち、活性層40はともに高抵抗性のバッファ層30及びキャップ層31によって挟まれていわゆるδドープあるいはパルスドープとして導電性のドーパントをドープしている。

請求項（抜粋）：

基板上に高抵抗性のダイヤモンドから形成されたバッファ層と、このパッファ層上に導電性のダイヤモンドから形成された活性層と、この活性層上に高抵抗性のダイヤモンドから形成されたキャップ層と、このキャップ層上にショットキー接触して形成されたゲート電極層と、前記キャップ層上にオーミック接触して形成されたソース電極層と、前記キャップ層上にオーミック接触して形成されたドレイン電極層とを備え、前記活性層のドーパント濃度はキャリアの伝導を金属的に支配する程度の値であり、前記活性層の層厚はドーパントの分布を二次元的に整列させる程度の値であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/31 , H01L 29/80 , H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 29/80 B , H01L 29/80 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-312982
特開平4-302150
特開平4-022172

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審査官引用 (2件)

特開平4-312982
特開平4-312982

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