特許
J-GLOBAL ID：200903049606984388
メッキ被膜の形成方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047364
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252313
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 電極部表面の汚れ、酸化膜、水酸化膜等を除去し、電極部とニッケル系無電解メッキ層との密着性を高め、ニッケル系無電解メッキ層表面の水酸化物を除去して、信頼性に優れた半田バンプの形成方法を提供する。【解決手段】 基板(半導体ウエハ)11に形成された電極部12をプラズマクリーニングし、超音波法により電極部12の表面に亜鉛置換層(図示省略)とニッケル系無電解メッキ層15を形成した後、使用する半田の融点以上の温度でそのニッケル系無電解メッキ層15にアニーリングを施し、その後ニッケル系無電解メッキ層15の表面をプラズマクリーニングし、その上に半田バンプを形成して、樹脂保護膜またはモールド樹脂で封止された半田バンプが露出した基板11を形成し、ペレタイズしてチップサイズパッケージを提供する。
請求項（抜粋）：
基板に形成された電極部の表面に無電解メッキを施すメッキ被膜の形成方法において、前記無電解メッキを行う前に前記電極部の表面をプラズマクリーニングする工程を備えたことを特徴とするメッキ被膜の形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 602 D
, H01L 21/92 604 B
