特許

J-GLOBAL ID：200903049608434555

窒化物半導体発光素子

発明者： ブザン・バンソン ,  谷田貝 悟 ,  白木 弘幸 ,  宇田 聡
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031174
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233822
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 基板とGaN層の界面で欠陥が極めて少なく、発光層の品質を劣化させず、高い強度の紫外光を発する。【解決手段】 SiC基板のような単結晶基板11上に0.1〜60原子%のホウ素を含むGaN層13が発光層として形成される。

請求項（抜粋）：

単結晶基板(11,21)上に0.1〜60原子%のホウ素を含むGaN層(13,23)が発光層として形成された窒化物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 D ,  H01S 3/18