光半導体電極及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小谷悦司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343633
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160425
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】高分子フィルムを基材とし、しかもガラス基板を用いた光半導体電極と同程度以上の高光電変換効率を有する半導体電極及びその製造方法を提供する。【解決手段】導電性を有する多孔質高分子フィルムに、光半導体粒子が担持されていて、且つ透明であることを特徴とする。前記光半導体粒子は、前記多孔質高分子フィルムの空孔内に充填されるとともに、前記多孔質高分子フィルムの片面に光半導体層を形成するように、前記多孔質高分子フィルムに担持されていてもよい。さらに、透明支持体を含み、該透明支持体の一側面に高導電層が形成されていて、該高導電層上に、上記光半導体電極が積層されていてもよい。

請求項（抜粋）：

導電性を有する多孔質高分子フィルムに、光半導体粒子が担持されていて、且つ透明であることを特徴とする光半導体電極。

IPC (2件)：

H01M 14/00 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P , H01L 31/04 Z

Fターム (15件)：

5F051AA14 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032BB00 , 5H032BB05 , 5H032EE01 , 5H032EE04 , 5H032EE05 , 5H032EE07 , 5H032EE12 , 5H032EE16 , 5H032EE18 , 5H032HH01 , 5H032HH04 , 5H032HH07

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-016775
特開昭63-300571
光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-067157 出願人：株式会社東芝

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