特許

J-GLOBAL ID：200903049613661411

半導体集積回路

発明者： 村瀬 泰規 ,  古川 千秋
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039196
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235282
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】LSIチップに内蔵でき、例えばトリミング調節の可能な半導体集積回路の実現にある。【構成】ヒューズと、少なくとも3個の抵抗Ra、Rb、Rcを直列に接続した直列抵抗網1と、該直列抵抗網1の末端に位置する1個の抵抗Raの両端を短絡または開放する第1のスイッチ手段2と、該1個の抵抗Raを含む2個の直列抵抗Ra、Rbの両端を短絡または開放する第2のスイッチ手段3とで構成した降圧回路を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ヒューズと、少なくとも3個の抵抗(Ra、Rb、Rc)を直列に接続した直列抵抗網(1)と、該直列抵抗網(1)の末端に位置する1個の抵抗(Ra)の両端を短絡または開放する第1のスイッチ手段(2)と、該1個の抵抗(Ra)を含む2個の直列抵抗(Ra、Rb)の両端を短絡または開放する第2のスイッチ手段(3)とで構成した降圧回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/82

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭53-087185
  
• 特開平1-186665
  
• 特開平3-196317
  
• 特開昭59-021128