特許

J-GLOBAL ID：200903049629445565

樹脂封止型半導体装置の製造方法

発明者： 松尾 光恭 ,  馬場 伸治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176307
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045990
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 樹脂封止型半導体装置の製造コストを低減する。【構成】 半導体チップ1の表面上の所定位置にパッド電極2を形成する。パッド電極2の一部表面を露出させるようにパッシベーション膜3を形成する。パッド電極2上からパッシベーション膜3上に延在するように下地金属層4を形成する。下地金属層4を覆うようにポリイミド層5を塗布する。ポリイミド層5をパターニングすることによって下地金属層4の一部表面を露出させる。このとき、ポリイミド層を硬化させるためのキュア処理は行なわない。ポリイミド層5の開口部5a内に半田ボール7aを載置する。そして、ポリイミド層5のキュア処理を行なうとともに半田ボール7aを溶融させることによって接続導電層7aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップ表面上の所定位置にパッド電極を形成する工程と、前記パッド電極を覆うように熱硬化性材料からなる表面保護層を塗布する工程と、前記パッド電極上に位置する前記表面保護層に開口部を形成する工程と、前記開口部内に接続導電層材料塊を載置する工程と、前記表面保護層と前記接続導電層材料塊とに熱処理を施すことによって、前記表面保護層を硬化させるとともに前記接続導電層材料をも溶融させて接続導電層を形成する工程と、前記接続導電層上に外部電極を形成する工程と、前記外部電極の一部表面を露出させるように前記半導体チップを封止する封止樹脂を形成する工程と、を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/92 602 M ,  H01L 21/92 604 J