伝送ゲート

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶山佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278738
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095266
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】並列トランジスタによる合成抵抗の特性を改善し、伝送歪みの極めて小さい伝送ゲートを実現する。【構成】入力信号線と出力信号線との間にN型MOSトランジスタとP型MOSトランジスタとを並列に接続し、N型MOSトランジスタの領域の下方に埋め込み分離層を設け、並列接続されたP型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタとがともに、導通時に入力信号をバックゲートに受けることにより、いわゆるサブストレート変調を受ける。

請求項（抜粋）：

入力信号線と出力信号線との間にN型MOSトランジスタとP型MOSトランジスタとが並列に接続されて成る伝送ゲートにおいて、前記P型MOSトランジスタと前記N型MOSトランジスタとがともに、導通時に前記入力信号線からの信号をバックゲートに受けることにより、サブストレート変調されることを特徴とする伝送ゲート。

IPC (3件)：

H03K 17/687 , H01L 27/092 , H01L 29/76

FI (2件)：

H03K 17/687 G , H01L 27/08 321 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭59-028723
特開昭63-293972
特開昭53-136486

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