特許

J-GLOBAL ID：200903049637076307

半導体レーザ

発明者： 浅賀 達也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007007
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190976
出願日： 1992年01月18日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【構成】 1mm×1mmの範囲内で平坦度±0.1μm以内、量子井戸層と障壁層のヘテロ界面で組成変化の遷移領域の厚さが0.6nm以内の半導体層を用いた量子井戸構造半導体レーザ。【効果】 水平横モードが制御され、広い温度範囲で大出力パルス発振可能な半導体レーザとなる。

請求項（抜粋）：

同一単結晶基板上に1つ以上の光導波路を持つ量子井戸構造の半導体レーザに於て、半導体レーザを構成する半導体層が1mm×1mmの範囲内で、平坦度±0.1μm以内であることを特徴とする半導体レーザ。