特許

J-GLOBAL ID：200903049638054706

半導体集積回路装置

発明者： 纐纈 達也 ,  八田 康 ,  原田 卓 ,  上野 聡
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-155016
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064191
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成で超高周波帯までの安定した動作を実現した半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 電源電圧及び回路の基準電位がそれぞれ与えられるべきところの、回路素子の端子に隣接してFCBを配置し、回路信号線と上記電源電圧線又回路の基準電位線とを幾何学的に分離する。これにより、信号線と電源線との間で形成されてしまう寄生容量を減らすことができるとともに、回路素子と電源電圧又は回路の基準電圧との間に寄生インダクタンス成分を大幅に低減できるから、半導体集積回路装置は、高い高周波信号も扱うようにすることができる。

請求項（抜粋）：

一対の相補入力信号を受け、上記一対の相補入力信号に従った一対の相補出力信号を形成する増幅回路が形成される半導体領域を含む半導体集積回路装置において、上記半導体領域は、仮想線により2つの領域に分割され、上記分割された領域の内の一方の領域は、上記一対の相補入力信号の内の一方の入力信号が供給される入力電極と、第1電極と、第2電極とを有する第1の差動トランジスタが形成される第1の領域;上記第1の領域に近接し、所定の第1の電圧が供給される第1電極と、上記第1の差動トランジスタの第1電極に結合される第2電極と、入力電極とを有し、所定のバイアス電圧を上記入力電極に受けることにより定電流を形成する第1の定電流トランジスタが形成される第2領域;上記第1領域に近接し、上記第1の差動トランジスタの第2電極と所定の第2の電圧との間に結合される第1の負荷回路が形成される第3領域;上記第2の領域に近接し、上記所定の第1の電圧が印加される第1のバンプ電極が形成される第4の領域;及び上記第2の領域と上記第4の領域に接し、上記所定の第1の電圧を上記第1のバンプ電極から上記第1の定電流トランジスタの第1電極へ供給する配線が形成される第5の領域を含み、上記分割された領域の内の他方の領域は、上記仮想線を中心として、上記第1の領域とは対称的な位置に形成される領域であって、上記一対の相補入力信号の内の他方の入力信号が供給される入力電圧と、第1電極と、第2電極とを有する第2の差動トランジスタが形成される第6の領域;上記仮想線を中心として、上記第2の領域とは対称的な位置に形成される領域であって、上記第6の領域に近接し、上記所定の第1の電圧が供給される第1電極と、上記第2の差動トランジスタの第1電極に結合される第2電極と、入力電極とを有し、上記所定のバイアス電圧を上記入力電極に受けることにより定電流を形成する第2の定電流トランジスタが形成される第7領域;上記仮想線を中心として、上記第3の領域とは対称的な位置に形成される領域であって、上記第6の領域に近接し、上記第2の差動トランジスタの第2電極と上記所定の第2の電圧との間に結合される第2の負荷回路が形成される第8領域;上記仮想線を中心として、上記第4の領域とは対称的な位置に形成される領域であって、上記第7の領域に近接し、上記所定の第1の電圧が印加される第2のバンプ電極が形成される第9の領域;及び上記第7の領域と上記第9の領域に接し、上記所定の第1の電圧を上記第2のバンプ電極から上記第2の定電流トランジスタの第1電極へ供給する配線が形成される第10の領域を含み、上記半導体領域は、上記仮想線上の領域であって、上記所定の第2の電圧が供給され、上記所定の第2の電圧を上記第1の負荷回路と上記第2の負荷回路へ供給する第3のバンプ電極が形成される第11の領域を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 27/082 ,  H01L 21/321 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03F 3/45

FI (4件)：

H01L 27/08 101 L ,  H03F 3/45 Z ,  H01L 21/92 602 P ,  H01L 27/04 A