特許

J-GLOBAL ID：200903049640110087

磁性記憶装置とその製造方法

発明者： 岡澤 武 ,  辻 清孝 ,  菊田 邦子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-319369
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124445
出願日： 2001年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 TMR積層膜と上部配線の間のコンタクト膜が自己整合的に形成されることができる磁性記憶装置とその製造方法を提供することである。【解決手段】 磁性記憶装置は、第1導電膜(4)上に形成されたTMR積層膜(6)と、前記TMR積層膜(6)上に形成され、前記TMR積層膜と同じ平面形状を有する第2導電膜(8)とを有する。前記第2導電膜は平坦な表面を有する。また、第1絶縁膜(10)は、前記TMR積層膜(6)と前記第2導電膜(8)を囲むように形成され、前記第2導電膜(8)の表面と同じ高さの平坦な表面を有する。第3導電膜(12)は、記第1絶縁膜(10)の上に形成され、前記第2導電膜と電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

第1導電膜上に形成されたTMR積層膜と、前記TMR積層膜上に形成され、前記TMR積層膜と同じ平面形状を有する第2導電膜とを具備する磁性記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (19件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA20 ,  5F083MA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04 ,  5F083PR07 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40