特許

J-GLOBAL ID：200903049646985573

窒化ケイ素膜の製造方法

発明者： 大崎 壽 ,  尾山 卓司 ,  清水 潤一 ,  渡邊 周二郎 ,  安藤 英一
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175673
公開番号（公開出願番号）：特開平8-067980
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【構成】窒素を含有するガスをスパッタリングガスとして用い、ケイ素を主成分とするターゲットを用い、基板上に窒化ケイ素膜を製造する方法において、該ターゲットに間欠的な負の電圧を印加する窒化ケイ素膜の製造方法。【効果】基板を加熱することなく、しかもきわめて安定的に、アルカリバリア性、耐透水性、耐酸化性の高い窒化ケイ素膜が得られる。

請求項（抜粋）：

窒素を含有するガスをスパッタリングガスとして用い、ケイ素を主成分とするターゲットを用い、基板上に窒化ケイ素膜を製造する方法において、該ターゲットに、100kHz以下の周期的に繰り返される間欠的な負の電圧を印加することを特徴とする窒化ケイ素膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/40