特許
J-GLOBAL ID：200903049657057031
SOIウエハおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212200
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055230
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、酸化膜を形成した支持基板とSOI(Silicon-On-Insulator) 層用基板とを張り合わせたSOIウェハおよびその製造方法に関し、SOI層が薄くてもゲッタリング・サイトをSOI層/SiO2 層界面近傍に効率的に設けて、重金属等による素子領域の汚染を低減したSOIウェハおよびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 支持基板15上の酸化膜14と該酸化膜上のSOI層11との界面に、炭素13を核として酸素12が析出しているように構成する。酸化膜14に炭素イオンを注入しまたは炭素を高濃度でドープした支持基板15に酸化膜14を形成した後に、熱処理することによりSOI層/酸化膜界面に炭素13を核とした酸素析出物12を形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
支持基板上の酸化膜と該酸化膜上のSOI層との界面に、炭素を核として酸素が析出していることを特徴とするSOIウェハ。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 21/02
