特許

J-GLOBAL ID：200903049658242380

半導体積層基板およびその製造方法

発明者： 篠宮 勝
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-251694
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068593
出願日： 2001年08月22日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 光半導体集積回路の量産化、低コスト化及び高信頼化が可能な半導体積層基板を提供する。【解決手段】 少なくとも、支持基板上に、化合物半導体から成る第2結晶層と、該第2結晶層上に形成された第1絶縁層と、該第1絶縁層上に形成された半導体シリコンから成る第1結晶層を有する半導体積層基板。および半導体積層基板の製造方法であって、少なくとも、支持基板と第2結晶層となる化合物半導体基板を貼り合わせ、前記化合物半導体基板を薄膜化して第2結晶層を形成し、次に第1結晶層となる半導体シリコン基板と前記第2結晶層の少なくとも一方の表面に絶縁膜を形成した後、前記半導体シリコン基板と第2結晶層とを前記絶縁膜を介して貼り合わせ、前記半導体シリコン基板を薄膜化して第1結晶層を形成した後、結合熱処理を加えて各層を強固に結合させる半導体積層基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも、支持基板上に、化合物半導体から成る第2結晶層と、該第2結晶層上に形成された第1絶縁層と、該第1絶縁層上に形成された半導体シリコンから成る第1結晶層を有することを特徴とする半導体積層基板。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  G02B 6/122 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 33/00

FI (7件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/15 D ,  H01L 27/15 T ,  H01L 33/00 A ,  H01L 31/02 C ,  G02B 6/12 B

Fターム (20件)：

2H047KA03 ,  2H047MA07 ,  2H047QA04 ,  2H047TA42 ,  2H047TA44 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F041EE25 ,  5F052DA01 ,  5F052DA04 ,  5F052KB02 ,  5F052KB04 ,  5F088AB03 ,  5F088AB07 ,  5F088GA04 ,  5F088JA14 ,  5F088KA08