特許

J-GLOBAL ID：200903049665764537

高耐久性酸化物超電導体及びその製造方法

発明者： 小早志 秀一 ,  長屋 重夫 ,  下之園 隆明
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社 ,  中部電力株式会社
代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332210
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306255
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 保護被覆層を多層にして酸化物超電導体の経年変化を効果的に防止する。【解決手段】 酸化物超電導体1は、耐湿性及び耐気密性を示す金属系保護層の被覆を少なくとも2層以上有する。酸化物超電導体1と接する第1保護層2としてTi、V、Mn、Ni、Cu、Zn、Al、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Pbのいずれか1種もしくは2種以上の金属を1〜500μm被覆する。この上に第2保護層3としてPb、Sn、Ag、Ga、In、Cdのいずれか1種もしくは2種以上の金属を主成分とした合金を0.1mm程度厚く被覆する。また、さらにこの上に耐腐食性を示す金属、耐水性高分子塗料、熱硬化性樹脂、紫外線硬化型樹脂などの保護膜を被覆するとよい。

請求項（抜粋）：

耐湿性及び耐気密性を示す金属系保護層の被覆を少なくとも2層以上有する高耐久性酸化物超電導体。

IPC (5件)：

H01B 12/02 ZAA ,  C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/00 ,  H01B 13/00 565

FI (5件)：

H01B 12/02 ZAA ,  C01B 13/14 ZAA Z ,  C01G 1/00 S ,  C23C 14/00 Z ,  H01B 13/00 565 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-239174
  
• 特開平1-115009
  
• 特開平2-024912
  
• 特開平1-120715