特許
J-GLOBAL ID:200903049674469467

多結晶シリコン膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡田 英彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-159159
公開番号(公開出願番号):特開平9-007946
出願日: 1995年06月26日
公開日(公表日): 1997年01月10日
要約:
【要約】【目的】Poly-Si膜の形成と同時に、追加的熱処理を付加することなく、片持ち梁状のビームとした場合に反りが発生しないPoly-Si膜を得る。【構成】非晶質シリコン膜6の成膜終了側の不純物濃度が成膜開始側の不純物濃度よりも高い状態で熱処理をすることにより、この非晶質シリコン膜6を多結晶化する。
請求項(抜粋):
非晶質シリコン膜の成膜終了側の不純物濃度が成膜開始側の不純物濃度よりも高い状態で熱処理をすることにより、この非晶質シリコン膜を多結晶化する多結晶シリコン膜の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/20 ,  H01L 21/324
FI (2件):
H01L 21/20 ,  H01L 21/324 Z

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